IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V +/-5%)
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
LBO, JTAG and ZZ Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
1. The LBO, TMS, TDI, TCK and TRST pins will be internally pulled to V DD and ZZ will be internally pulled if they are not actively driven in the application.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V +/-5%)
5281 tbl 21
200MHz (4)
166MHz
133MHz
100MHz
Symbol
I DD
Parameter
Operating Power
Supply Current
Test Conditions
Device Selected, Outputs Open,
ADV/LD = X, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Com'l Only
400
Com'l
350
Ind
360
Com'l
300
Ind
310
Com'l
250
Ind
255
Unit
mA
CMOS Standby
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD , f
I SB1
I SB2
Device Deselected, Outputs Open,
Power Supply Current V DD = Max., V IN > V HD or < V LD , f
= 0 (2,3)
Clock Running Power Device Deselected, Outputs Open,
Supply Current
= f MAX (2.3)
40
130
40
120
45
130
40
110
45
120
40
100
45
110
mA
mA
I SB3
Idle Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
CEN > V IH , V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
40
40
45
40
45
40
45
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ – 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD – 0.2V, V LD = 0.2V.
4. Only available in 256K x 18 configuration.
5281 tbl 22
AC Test Loads
6
I/O
Z 0 = 50 Ω
V DDQ /2
50 Ω
5281 drw 04
,
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
0 to 3V
2ns
5
4
Δ tCD 3
(Typical, ns)
2
Figure 1. AC Test Load
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
1.5V
1.5V
See Figure 1
5281 tbl 23
1
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5281 drw 05
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
15
6.42
相关PDF资料
IDT71V3559S85BQI IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA
IDT71V35761YSA200BGI IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
IDT71V3577S75BQG IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
IDT71V3578S150PFGI IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
IDT71V416L10PHGI IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
IDT71V424S10YGI IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
IDT71V432S5PFGI IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP
IDT71V546S133PFGI IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT71V3556SA166BGGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V3556SA166BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V3556SA166BGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V3556SA166BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V3556SA166BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V3556SA166BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT71V3556SA166BQG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V3556SA166BQGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)